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硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈
   编辑:管理员   浏览:1315  时间:2016-03-04 

当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片,而且也和晶圆级堆栈密不可分。然而,德国慕尼黑工业大学(Technical University of Munich;TUM)的科学家们最近宣称,他们已经成功地在芯片上直接生长出直径360nm的垂直纳米激光器。这为在CMOS电路上的光子组件整合开启了新的光学端口。

  由于各种材料具有不同的晶格参数以及不同的热膨胀系数,在硅晶上生长III-V族半导体经常导致应变并产生大量的缺陷,使得这些分层并不适用于打造可用的设备。

  慕尼黑工业大学的研究团队首先单独在直径仅40-50nm占位空间的芯片上沉积砷化镓(GaAs)纳米线,以符合250nm二氧化硅(SiO2)交错层中的播种小孔直径。然后在透过可控制的横向生长选择性扩展GaAs纳米线直径以前,再用分子束外延(MBE)生长长度约10um 的内部核心纳米线至同轴雷射结构中。

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