当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。然而，德国慕尼黑工业大学（Technical University of Munich；TUM）的科学家们最近宣称，他们已经成功地在芯片上直接生长出直径360nm的垂直纳米激光器。这为在CMOS电路上的光子组件整合开启了新的光学端口。

　　由于各种材料具有不同的晶格参数以及不同的热膨胀系数，在硅晶上生长III-V族半导体经常导致应变并产生大量的缺陷，使得这些分层并不适用于打造可用的设备。

　　慕尼黑工业大学的研究团队首先单独在直径仅40-50nm占位空间的芯片上沉积砷化镓（GaAs）纳米线，以符合250nm二氧化硅（SiO2）交错层中的播种小孔直径。然后在透过可控制的横向生长选择性扩展GaAs纳米线直径以前，再用分子束外延（MBE）生长长度约10um 的内部核心纳米线至同轴雷射结构中。